取向硅鋼高溫退火時(shí)氧化鎂的反應(yīng)過程
河北鎂神科技有限公司表示，鹽湖鹵水制備硅鋼級氧化鎂，運(yùn)用X射線衍射儀、激光粒度分析儀和高低真空掃描電鏡等分析儀器，考察了鹵水沉鎂，煅燒工藝制備硅鋼級氧化鎂的煅燒過程中煅燒溫度和煅燒時(shí)間對氧化鎂的活性、形貌以及粒度影響。結(jié)果表明：隨著煅燒溫度的上升與煅燒時(shí)間的延長，氧化鎂活性逐步下降;煅燒溫度升高，會(huì)使氧化鎂的形貌逐漸轉(zhuǎn)化為規(guī)則的片狀顆粒。
取向硅鋼的表面質(zhì)量主要取決于硅酸鎂底層的形成質(zhì)量。在正常生產(chǎn)中,經(jīng)常發(fā)生露晶、底層發(fā)黑、發(fā)紅、發(fā)藍(lán)、色差等硅酸鎂底層缺點(diǎn)。為提高底層質(zhì)量,河北鎂神科技有限公司研究了氧化鎂活性、氧化鎂涂層工藝、脫碳時(shí)間對硅酸鎂底層形成的影響規(guī)律,結(jié)果表明氧化鎂活性越高,底層形成越好;氧化鎂涂層的含水率需控制在一定的范圍內(nèi),含水率過低,則會(huì)造成露晶缺點(diǎn)的產(chǎn)生;脫碳時(shí)間的延長,有利于硅酸鎂底層的形成。
對取向硅鋼高溫退火工藝進(jìn)行實(shí)驗(yàn)室模擬,采用聚焦離子束顯微鏡(FIB)觀察了氧化層中二氧化硅和氧化鎂反應(yīng)的微觀形貌演變過程,采用能譜儀(EDS)分析了試樣截面近表層Mg、Al、Si等元素的分布規(guī)律,采用透射電鏡(TEM)分析了對成品試樣硅酸鎂底層的結(jié)構(gòu)特征。
結(jié)果表明:(1)鎂離子的擴(kuò)散速度是影響硅酸鎂底層反應(yīng)的主要因素;(2)鎂離子沿著二氧化硅顆粒與鐵基體之間的界面擴(kuò)散,逐漸將二氧化硅顆粒包覆;隨著溫度的進(jìn)一步升高,鎂離子開始向二氧化硅顆粒內(nèi)部擴(kuò)散,并與之反應(yīng);(3)隨著溫度的升高,特別是在氮化鋁分解后,鋼基中的鋁會(huì)逐漸將釘扎部位的硅酸鎂(Mg2SiO4)完全轉(zhuǎn)化成為鎂鋁尖晶石(MgO，Al2O3)。
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