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  單晶氧化鎂是指氧化鎂含量在99.95%以上，具有極強(qiáng)的耐高低溫(高溫2500℃，低溫-270℃)抗腐蝕性、絕緣性和良好的導(dǎo)熱性和光學(xué)性能、無色透明的晶體。氧化鎂是極好的單晶基片而廣泛應(yīng)用于制作鐵電薄膜、磁學(xué)薄膜、光點(diǎn)薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等，由于它在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2英寸及更大），所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。單晶氧化鎂可用于制作移動通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器電器。

  單晶氧化鎂的指標(biāo)參數(shù)：晶格常數(shù)a=4.212、分子量40.311、密度(g/cm)3.65、熱膨脹數(shù)(×10-⒎/℃)(25℃)138、融點(diǎn)(℃)2800、沸點(diǎn)(℃)3600、導(dǎo)熱率(cal/cm/sec/℃）(25℃)0.06、比熱(cal/g.℃)0.209、莫氏硬度5.5、電容率(1mnz)(25℃)、折射率No=1.74(λ=0.633μ)、透光率：光波長200-2000透過率92%、光波長2.5-7微米時(shí)透過率大于92%、晶相（100）（111）（110）

  單晶氧化鎂一般是在大功率，三相電弧爐熔制，這種方法的優(yōu)點(diǎn)：生產(chǎn)量大，設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單。由于石墨電極在熔制過程中進(jìn)入單晶氧化鎂使純度降低。若想得到超高純度的氧化鎂單晶，需采用無接觸熔制，一般多采用激光法熔制氧化鎂單晶。由于激光高能量密度使氧化鎂粉瞬間變成液態(tài)，由于是無接觸加工，不存在電極消耗，因此可以得到高純度氧化鎂單晶,可以達(dá)到99.9%。

  河北鎂神化工科技集團(tuán)長期供應(yīng)進(jìn)口單晶氧化鎂、氧化鎂，質(zhì)量按國家標(biāo)準(zhǔn)，價(jià)格優(yōu)惠，可負(fù)責(zé)送貨，歡迎來電咨詢訂購!